ПРО «ЕФЕКТ МАЛИХ ДОЗ» В γ-ОПРОМІНЕНИХ МОНОКРИСТАЛАХ АНТИМОНІДУ КАДМІЮ, ЛЕГОВАНИХ ІНДІЄМ

Дослідження дефектів кристалічної гратки та встановлення зв’язку між ними і фізичними властивостями кристалів представляє великий науковий та практичний інтерес і відноситься до найважливіших проблем фізики твердого тіла і напівпровідників [1]. Опромінення частками високих енергій є могутнім і добре контрольованим методом керування ступенем впорядкованості у твердих тілах.

В даній роботі досліджувались кінетичні ефекти в  монокристалах антимоніду кадмію, легованих індієм, до і після γ-опромінення. Проведено дослідження питомої провідності та ефекту Холла, що дозволило отримати температурні залежності концентрації носіїв заряду та їх рухливості. Помічено різке збільшення значення рухливості носіїв заряду в опромінених кристалах при дозах порядку 4·10¹⁸ g кв/см². Цей факт ми пояснюємо наявністю так званого “ефекту малих доз”.

Відомо, що ймовірність появи радіаційних дефектів в механічно напружених областях кристалу суттєво вища, чим для ненапружених областей [2]. Тому при малих дозах опромінення введення дефектів відбувається переважно в локально напружених областях гратки, тобто поблизу атомів легуючої домішки (в даному випадку In). Введені в опромінені кристали радіаційні центри частково нейтралізують заряд іонних залишків, розміщених у вузлах гратки.

Відповідно, можна зробити висновок, що зростання рухливості носіїв заряду, спостережуване в даній роботі, виникає не за рахунок підвищення досконалості кристалів при їх радіаційній обробці, а за рахунок зниження ефективності розсіяння носіїв заряду на домішкових іонних залишках при частковій нейтралізації заряду протилежним по знаку зарядом дефектів. Отримані результати та їх інтерпретація добре узгоджуються з аналогічними даними, представленими в роботах для монокристалів кремнію та германію [2, 3].

Список літератури:

1. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. Пер. с англ. // М.: Мир. – 264с. (1984).

2. Видалко Е.Н., Гайдар Г.П., Гирий В.А. Подвижность носителей тока в гамма-облученных кристалах кремния // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материаллы.- Т.22.- С. 553-555 (1986).