ТЕРАГЕРЦОВЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ ДЛЯ З’ЄДНАННЯ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ

Дослідження квантово напівпровідникових систем, які проводилися протягом останніх двох десятиліть, вже призвели до створення цілого ряду нових приладів, від одноелектронних транзисторів до джерел і приймачів випромінювання різних діапазонів. Однак терагерцовий (субміліметровий, дальній ІК) діапазон все ще недостатньо «освоєний» твердотільними приладами, які могли б випускати і детектувати випромінювання селективним чином. Такі прилади могли б мати широке застосування, наприклад, для формування ТГц зображення в медицині, в якості хімічних і біологічних сенсорів, в широкосмугового зв'язку, радіоастрономії, для діагностики атмосфери зі супутників, в комп'ютерній техніці, тестуванні інтегральних схем та ін.

У майбутньому можливе застосування терагерцового випромінювання для з'єднання інтегральних схем, з'єднань комп'ютер-комп'ютер, комунікації «Останньої милі». В цьому плані перспективними є дослідження напівпровідникових низькорозмірних гетероструктур, енергії переходів в яких потрапляють в терагерцовий діапазон. В даний час в досліджуваному діапазоні відомі приймачі на вільних носіях, що працюють в умовах квантового ефекту Холла (КЕХ) [1], приймачі на основі вертикального транспорту в квантових ямах [3], приймачі на квантових точках [3] і на домішкових переходах [4].

Отже, актуальним є встановлення основних закономірностей фотопровідності (ФП) низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур в далекому ІЧ діапазоні і детальне дослідження механізмів фотооткліку.

1. Y. Kawano, Y. Hisanaga, H. Takenouchi, S. Komiyama Highly sensitive and tunable detection of far-infrared radiation by quantum Hall devices / J . Appl. Phys. - 2001. Vol.89, No 7, P. 4037-4048.

2. Y. Kawano, S. Komiyama Breakdown on the quantized Hall effect in the vicinity of current contact / Phys. Rev. В - 2000. Vol.61, N 1. P. 2931-2938.

3. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, В. В. Кириенко, А. И. Никифоров Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Се для волоконно-оптических линий связи / Нанофотоника: Материалы совещания. Нижний Новгород, Россия, 2-6 мая 2004. - ИФМ РАН, 2004. - С. 133-136.

4. Мелкие акцепторы в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами. / В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. Л. Коротков и др. //Письма в ЖЭТФ. - 1997. - Т. 65, вып. 2. - С. 194-198.